Váºy Năng lượng mặt trá»i dùng để làm gì? Tấm pin năng lượng mặt trá»i có cấu tạo thế nào ? Nguyên lý pin năng lượng mặt trá»i hoạt Ä‘á»™ng nhÆ° thế nào? Nó biến ánh sáng mặt trá»i quang năng thành Ä‘iện năng ra sao?
Cấu tạo tấm pin năng lượng mặt trá»i
Hãy cùng chúng tôi cùng tìm hiểu ngá»n ngành các bạn nhé.
Cấu tạo và váºt liệu cấu thành nên tấm pin năng lượng mặt trá»i Solar Panel
Cấu tạo các lá»›p của pin mặt trá»i
Pin năng lượng Mặt trá»i hay pin mặt trá»i hay pin quang Ä‘iện (Solar panel) bao gồm nhiá»u tế bào quang Ä‘iện (solar cells) – là phần tá» bán dẫn có thành phần chính là sillic tinh khiết – có chứa trên bá» mặt má»™t số lượng lá»›n các cảm biến ánh sáng là Ä‘iốt quang, thá»±c hiện biến đổi năng lượng ánh sáng thành năng lượng Ä‘iện. Các tế bào quang Ä‘iện này được bảo vệ bởi má»™t tấm kính trong suốt ở mặt trÆ°á»›c và má»™t váºt liệu nhá»±a ở phía sau. Toàn bá»™ nó được Ä‘óng gói chân không trong thông qua lá»›p nhá»±a polymer càng trong suốt càng tốt.CÆ°á»ng Ä‘á»™ dòng Ä‘iện, hiệu Ä‘iện thế hoặc Ä‘iện trở của pin mặt trá»i thay đổi phụ thuá»™c bởi lượng ánh sáng chiếu lên chúng. Tế bào quang Ä‘iện được ghép lại thành khối để trở thành pin mặt trá»i (thông thÆ°á»ng 60 hoặc 72 tế bào quang Ä‘iện trên má»™t tấm pin mặt trá»i).
Cho tá»›i hiện tại thì váºt liệu chủ yếu cho pin mặt trá»i (và cho các thiết bị bán dẫn) là các silic tinh thể. Pin mặt trá»i từ tinh thể silic chia ra thành 3 loại:
Má»™t tinh thể hay Ä‘Æ¡n tinh thể module sản xuất dá»±a trên quá trình Czochralski. ÄÆ¡n tinh thể loại này có hiệu suất tá»›i 16%. Chúng thÆ°á»ng rất mắc tiá»n do được cắt từ các thá»i hình ống, các tấm Ä‘Æ¡n thể này có các mặt trống ở góc nối các module.
Äa tinh thể làm từ các thá»i Ä‘úc-Ä‘úc từ silic nung chảy cẩn tháºn được làm nguá»™i và làm rắn. Các pin này thÆ°á»ng rẻ hÆ¡n các Ä‘Æ¡n tinh thể, tuy nhiên hiệu suất kém hÆ¡n. Tuy nhiên chúng có thể tạo thành các tấm vuông che phủ bá» mặt nhiá»u hÆ¡n Ä‘Æ¡n tinh thể bù lại cho hiệu suất thấp của nó.
Dải silic tạo từ các miếng phim má»ng từ silic nóng chảy và có cấu trúc Ä‘a tinh thể, Loại này thÆ°á»ng có hiệu suất thấp nhất, tuy nhiên loại này rẻ nhất trong các loại vì không cần phải cắt từ thá»i silicon.
Công nghệ trên là sản suất tấm, nói cách khác, các lá»ai trên có Ä‘á»™ dày 300 μm tạo thành và xếp lại để tạo nên module.
NhÆ° Ä‘ã nói ở trên, Các tế bào quang Ä‘iện là thành phần chính và có chức năng hấp thu ánh sáng mặt trá»i quang năng và biến đổi thành Ä‘iện năng.
Các tế bào tinh thể Silics này có thể là Ä‘Æ¡n tinh thể (goi là Pin Mono) hoặc Ä‘a tinh thể (Gá»i là Pin Poly), tùy theo quy trình sản xuất của từng hãng pin mặt trá»i .
Các đặc tính kỹ thuáºt chính là: kích thÆ°á»›c, màu sắc, số lượng tế bào – Cells pin và quan trá»ng hÆ¡n hết là hiệu suất chuyển đổi của pin mặt trá»i.
Hiện nay , các tế bào Cells pin phổ biến nhất là các tế bào Ä‘a tinh thể Poly vá»›i hiệu suất chuyển hóa khoảng 17,6%, tạo ra má»™t pin mặt trá»i 250W vá»›i 60 cells. Các tế bào Cells này được liên kết vá»›i nhau bằng má»™t dây đồng má»ng được phủ má»™t hợp kim thiếc.
Phần Kính mặt trÆ°á»›c của pin mặt trá»i là phần nặng nhất . Nó có chức năng bảo vệ và đảm bảo Ä‘á»™ bá»n cho toàn bá»™ tấm pin mặt trá»i, duy trì Ä‘á»™ trong suốt cao. Äá»™ dày của lá»›p này thÆ°á»ng là 3,3mm nhÆ°ng nó có thể dao Ä‘á»™ng từ 2 mm đến 4mm tùy thuá»™c vào loại kính mà hãng sản xuất pin Ä‘ó chá»n. Äiá»u quan trá»ng là phải chú ý đến các yếu tố nhÆ° chất lượng Ä‘á»™ cứng, Ä‘á»™ truyá»n quang phổ và truyá»n ánh sáng. Pin càng tốt thì lá»›p kính trÆ°á»›c này hấp thu ánh sáng Ä‘i qua tốt hÆ¡n , phản xạ ánh sáng ít hÆ¡n.
Tấm ná»n mặt sau của pin mặt trá»i được làm từ má»™t váºt liệu nhá»±a có chức năng cách ly Ä‘iện, bảo vệ và che chắn các tế bào PV khá»i thá»i tiết và Ä‘á»™ ẩm. Tấm đặc biệt này thÆ°á»ng có màu trắng và được bán ở dạng cuá»™n hoặc tấm. Các loại pin các hãng khác nhau có thể khác nhau vá» Ä‘á»™ dày, màu sắc và sá»± hiện diện của các váºt liệu cụ thể để che chắn tốt hÆ¡n hoặc cho Ä‘á»™ bá»n cÆ¡ há»c cao hÆ¡n.
Má»™t trong những váºt liệu quan trá»ng nhất là chất liệu Ä‘óng gói – là chất kết dính giữa các lá»›p khác nhau của pin mặt trá»i. Váºt liệu phổ biến nhất được sá» dụng làm chất Ä‘óng gói là EVA – Ethylene vinyl acetate. Nó là má»™t polymer đục mỠđược Ä‘óng theo cuá»™n. Nó phải được cắt thành tấm và nằm trÆ°á»›c và sau các tế bào quang Ä‘iện. Khi chịu má»™t quá trình nhiệt của nấu chân không, loại polymer đặc biệt này trở đăc lại thành keo trong suốt và kết dính các tế bào quang Ä‘iện. Chất lượng của quá trình này, được gá»i là cán màng, đảm bảo tuổi thá» cao cho chính tấm pin Ä‘ó, đồng thá»i có ảnh hưởng đến việc truyá»n ánh sáng, tốc Ä‘á»™ xá» lý và khả năng chống lại màu vàng do tia UV.
Má»™t trong những phần cuối cùng được lắp ráp pin mặt trá»i là khung. Nó thÆ°á»ng được làm bằng nhôm và có chức năng đảm bảo Ä‘á»™ bá»n cho tấm pin.
Äối vá»›i các trÆ°á»ng hợp sá» dụng đặc biệt, cÅ©ng có sẵn các tấm pin không khung hoặc các giải pháp nhá»±a đặc biệt. Những giải pháp này thÆ°á»ng liên quan đến việc sá» dụng các dung dịch há»— trợ dán ở phía sau vá»›i công nghệ kính thủy tinh.
Há»™p nối có chức năng Ä‘Æ°a các mối nối Ä‘iện của mô Ä‘un pin mặt trá»i ra bên ngoài.
Nó chứa các dây cáp để kết nối các tấm trong hệ thống. Khi chá»n há»™p Nối, chúng ta nên chú ý đến chất lượng nhá»±a, Ä‘á»™ tốt của khá»›p nối.
Pin năng lượng mặt trá»i (hay pin quang Ä‘iện, tế bào quang Ä‘iện), là thiết bị bán dẫn chứa lượng lá»›n các diod p-n, duá»›i sá»± hiện diện của ánh sáng mặt trá»i có khả năng tạo ra dòng Ä‘iện sá» dụng được. Sá»± chuyển đổi này gá»i là hiệu ứng quang Ä‘iện.
Hiệu ứng quang Ä‘iện được phát hiện đầu tiên năm 1839 bởi nhà váºt lý Pháp Alexandre Edmond Becquerel. Tuy nhiên cho đến 1883 má»™t pin năng lượng má»›i được tạo thành, bởi Charles Fritts, ông phủ lên mạch bán dẫn selen má»™t lá»›p cá»±c má»ng vàng để tạo nên mạch nối. Thiết bị chỉ có hiệu suất 1%, Russell Ohl xem là ngÆ°á»i tạo ra pin năng lượng mặt trá»i đầu tiên năm 1946. Sven Ason Berglund Ä‘ã có phÆ°Æ¡ng pháp liên quan đến việc tăng khả năng cảm nháºn ánh sáng của pin.
Äể tìm hiểu vá» pin mặt trá»i, thì cần má»™t ít lý thuyết ná»n tảng vá» váºt lý chất bán dẫn. Äể Ä‘Æ¡n giản, miêu tả sau Ä‘ây chỉ giá»›i hạn hoạt Ä‘á»™ng của má»™t pin năng lượng tinh thể silic.
Silic thuá»™c nhóm IV, tức là có 4 electron lá»›p ngoài cùng. Silic có thể kết hợp vá»›i silicon khác để tạo nên chất rắn. CÆ¡ bản có 2 loại chất rắn silicon, Ä‘a thù hình (không có tráºt tá»± sắp xếp) và tinh thể (các nguyên tá» sắp xếp theo thứ tá»± dãy không gian 3 chiá»u). Pin năng lượng mặt trá»i phổ biến nhất dùng Ä‘a tinh thể silicon.
Silic là chất bán dẫn. Tức là thể rắn silic, tại má»™t tầng năng lượng nhất định, electron có thể đạt được, và má»™t số tầng năng lượng khác thì không được. Các tầng năng lượng không được phép này xem là tầng trống. Lý thuyết này căn cứ theo thuyết cÆ¡ há»c lượng tá».
Ở nhiệt Ä‘á»™ phòng, Silic nguyên chất có tính dẫn Ä‘iện kém. Trong cÆ¡ há»c lượng tá», giải thích thất tế tại mức năng lượng Fermi trong tầng trống. Äể tạo ra silic có tính dẫn Ä‘iện tốt hÆ¡n, có thể thêm vào má»™t lượng nhá» các nguyên tá» nhóm III hay V trong bảng tuần hoàn hóa há»c. Các nguyên tá» này chiếm vị trí của nguyên tá» silic trong mạng tinh thể, và liên kết vá»›i các nguyên tá» silic bên cạnh tÆ°Æ¡ng tá»± nhÆ° là má»™t silic. Tuy nhiên các phân tá» nhóm III có 3 electron ngoài cùng và nguyên tá» nhóm V có 5 electron ngoài cùng, vì thế nên có chá»— trong mạng tinh thể có dÆ° electron còn có chá»— thì thiếu electron. Vì thế các electron thừa hay thiếu electron (gá»i là lá»— trống) không tham gia vào các kết nối mạng tinh thể. Chúng có thể tá»± do di chuyển trong khối tinh thể. Silic kết hợp vá»›i nguyên tá» nhóm III (nhôm hay gali) được gá»i là loại bán dẫn p bởi vì năng lượng chủ yếu mang Ä‘iện tích dÆ°Æ¡ng (positive), trong khi phần kết hợp vá»›i các nguyên tá» nhóm V (phốt pho, asen) gá»i là bán dẫn n vì mang năng lượng âm (negative). LÆ°u ý rằng cả hai loại n và p có năng lượng trung hòa, tức là chúng có cùng năng lượng dÆ°Æ¡ng và âm, loại bán dẫn n, loại âm có thể di chuyển xung quanh, tÆ°Æ¡ng tá»± ngược lại vá»›i loại p.
Nguyên lý hoạt Ä‘á»™ng của Pin mặt trá»i
Khi má»™t photon chạm vào mảnh silic, má»™t trong hai Ä‘iá»u sau sẽ xảy ra:
1. Photon truyá»n trá»±c xuyên qua mảnh silic. Äiá»u này thÆ°á»ng xảy ra khi năng lượng của photon thấp hÆ¡n năng lượng đủ để Ä‘Æ°a các hạt electron lên mức năng lượng cao hÆ¡n.
2. Năng lượng của photon được hấp thụ bởi silic. Äiá»u này thÆ°á»ng xảy ra khi năng lượng của photon lá»›n hÆ¡n năng lượng để Ä‘Æ°a electron lên mức năng lượng cao hÆ¡n.
Khi photon được hấp thụ, năng lượng của nó được truyá»n đến các hạt electron trong màng tinh thể. Thông thÆ°á»ng các electron này lá»›p ngoài cùng, và thÆ°á»ng được kết dính vá»›i các nguyên tá» lân cáºn vì thế không thể di chuyển xa. Khi electron được kích thích, trở thành dẫn Ä‘iện, các electron này có thể tá»± do di chuyển trong bán dẫn. Khi Ä‘ó nguyên tá» sẽ thiếu 1 electron và Ä‘ó gá»i là “lá»— trống”. Lá»— trống này tạo Ä‘iá»u kiện cho các electron của nguyên tá» bên cạnh di chuyển đến Ä‘iá»n vào “lá»— trống”, và Ä‘iá»u này tạo ra lá»— trống cho nguyên tá» lân cáºn có “lá»— trống”. Cứ tiếp tục nhÆ° váºy “lá»— trống” di chuyển xuyên suốt mạch bán dẫn.
Má»™t photon chỉ cần có năng lượng lá»›n hÆ¡n năng luợng đủ để kích thích electron lá»›p ngoài cùng dẫn Ä‘iện. Tuy nhiên, tần số của mặt trá»i thÆ°á»ng tÆ°Æ¡ng Ä‘Æ°Æ¡ng 6000°K, vì thế nên phần lá»›n năng lượng mặt trá»i Ä‘á»u được hấp thụ bởi silic. Tuy nhiên hầu hết năng lượng mặt trá»i chuyển đổi thành năng lượng nhiệt nhiá»u hÆ¡n là năng lượng Ä‘iện sá» dụng được.
Nguồn: Wiki, Vogiasolar